- 封装/外壳:
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- 供应商器件封装:
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- 功率耗散(最大值):
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- 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):
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- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
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- 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):
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- 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):
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- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):
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- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):
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- FET 功能:
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图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 价格 | 起订量 | 库存 | 操作 | |
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Rohm Semiconductor | MOSFET P-CH 30V 0.25... |
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3,000 | 580 | 加入购物车 提交询价 | |||
Rohm Semiconductor | MOSFET P-CH 30V 0.25... |
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3,000 | 580 | 加入购物车 提交询价 | |||
Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 14A... |
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1 | 580 | 提交询价 | |||
Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 12.5... |
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1 | 580 | 提交询价 | |||
Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 10A... |
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1 | 580 | 提交询价 | |||
Rohm Semiconductor | MOSFET P-CH 30V 7.5A... |
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1 | 580 | 提交询价 | |||
Rohm Semiconductor | MOSFET P-CH 30V 9A ... |
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1 | 580 | 提交询价 | |||
Rohm Semiconductor | MOSFET P-CH 30V 2A ... |
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3,000 | 580 | 加入购物车 提交询价 | |||
Rohm Semiconductor | RS1E301GN IS A POWE... |
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2,500 | 580 | 加入购物车 提交询价 | |||
Rohm Semiconductor | MIDDLE POWER MOS... |
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2,500 | 580 | 加入购物车 提交询价 | |||
Rohm Semiconductor | MOSFET P-CH 30V 2A ... |
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3,000 | 580 | 加入购物车 提交询价 | |||
Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 12.5... |
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2,500 | 580 | 加入购物车 提交询价 | |||
Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 10A... |
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3,000 | 580 | 加入购物车 提交询价 | |||
Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 18A... |
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3,000 | 580 | 加入购物车 提交询价 | |||
Rohm Semiconductor | MOSFET P-CH 30V 5A ... |
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3,000 | 580 | 加入购物车 提交询价 | |||
Rohm Semiconductor | MOSFET P-CH 30V 7A ... |
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3,000 | 580 | 加入购物车 提交询价 | |||
Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 1.4A... |
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3,000 | 580 | 加入购物车 提交询价 | |||
Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 1.5A... |
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3,000 | 580 | 加入购物车 提交询价 | |||
Rohm Semiconductor | MOSFET N-CHANNEL... |
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2,500 | 580 | 加入购物车 提交询价 | |||
Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 2A ... |
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