功率耗散(最大值):
FET 类型:
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):
Vgs(最大值):
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):
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SI4435DY ON Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 8.8A...
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