- 品牌：
-
- Diodes Incorporated (23)
- Nexperia USA Inc. (15)
- ON Semiconductor (39)
- Rohm Semiconductor (18)
- Sanken (11)
- Vishay Siliconix (13)
- 系列：
-
- 工作温度：
-
- 封装/外壳：
-
- 供应商器件封装：
-
- 功率耗散（最大值）：
-
- FET 类型：
-
- 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：
-
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
-
- 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：
-
- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：
-
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：
-
- Vgs（最大值）：
-
- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：
-
- FET 功能：
-
215 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 价格 | 起订量 | 库存 | 操作 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 30V 0.3A... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 30A... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
- | MOSFET N-CH 30V 28A... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 8.3A... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 11A... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 76A... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 70A... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 30V 35A... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 30V 60A... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
Rohm Semiconductor | MOSFET P-CH 30V 5A ... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 14.5... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 13A... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
Renesas Electronics America | MOSFET P-CH 30V 75A... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
ON Semiconductor | MOSFET P CH 30V 3.3A... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 5.3A... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
ON Semiconductor | MOSFET P-CH 30V 14.5... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 38.3... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 30V 12A... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 30V 45A... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET P-CH 30V 6A ... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 |
