- 品牌:
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- NXP USA Inc. (7)
- Vishay Siliconix (8)
- 工作温度:
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- 封装/外壳:
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- 功率耗散(最大值):
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- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
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- 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):
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- 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):
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- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):
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17 条记录
图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 价格 | 起订量 | 库存 | 操作 | |
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NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 30V LF... |
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NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 30V LF... |
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1 | 580 | 提交询价 | |||
NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 30V SO... |
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1 | 580 | 提交询价 | |||
NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 30V SO... |
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1 | 580 | 提交询价 | |||
NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 8HV... |
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Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V LF... |
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1 | 580 | 提交询价 | |||
Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 11A... |
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1 | 580 | 提交询价 | |||
Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 13A... |
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1 | 580 | 提交询价 | |||
Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 13A... |
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1 | 580 | 提交询价 | |||
Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 7.8A... |
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1 | 580 | 提交询价 | |||
Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 7.8A... |
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1 | 580 | 提交询价 | |||
Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V SO... |
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2,500 | 580 | 提交询价 | |||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 8-S... |
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1 | 580 | 提交询价 | |||
Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V PP... |
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1 | 580 | 提交询价 | |||
NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 30V SO... |
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1 | 580 | 提交询价 | |||
NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 30V LF... |
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1 | 580 | 提交询价 | |||
Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 11A... |
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