- 品牌:
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- 封装/外壳:
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- 功率耗散(最大值):
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- 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):
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- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
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- 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):
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- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):
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10 条记录
图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 价格 | 起订量 | 库存 | 操作 | |
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 4A ... |
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 6.7A... |
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 10A... |
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 760M... |
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Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 30V 7.9A... |
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 2.3A... |
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STMicroelectronics | MOSFET P-CH 30V 10A... |
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STMicroelectronics | MOSFET P-CH 30V 24A... |
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1 | 580 | 提交询价 | |||
Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 3.6A... |
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 10A... |
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