- 功率耗散（最大值）：
-
- 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：
-
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
-
- 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：
-
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：
-
94 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 价格 | 起订量 | 库存 | 操作 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 8.3A... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 8.3A... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 12.5... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 12A... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 8A ... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 8A ... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 10A... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 13.6... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 10A... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 8A ... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 12.5... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 10A... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 7A ... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 18A... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 13.6... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 14A... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 8.3A... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 12.5... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 5.8A... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 8.5A... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 |
