供应商器件封装:
功率耗散(最大值):
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):
图片 型号 品牌 描述 PDF 价格 起订量 库存 操作
SPD50N03S207GBTMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A...
-
1 580 提交询价
SPB100N03S203T Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A...
¥20.01
1 4,593 加入购物车 提交询价
1 / 1 页 共 2 条