系列:
零件状态:
供应商器件封装:
功率耗散(最大值):
FET 类型:
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):
图片 型号 品牌 描述 PDF 价格 起订量 库存 操作
TPC8042(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 18A...
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RRH090P03GZETB Rohm Semiconductor
MIDDLE POWER MOS...
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RRH090P03GZETB Rohm Semiconductor
MIDDLE POWER MOS...
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RRH090P03GZETB Rohm Semiconductor
MIDDLE POWER MOS...
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