供应商器件封装:
功率耗散(最大值):
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):
图片 型号 品牌 描述 PDF 价格 起订量 库存 操作
DMP3008SFGQ-7 Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 30V 8.6A...
-
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DMP3008SFGQ-7 Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 30V 8.6A...
¥9.41
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DMP3008SFGQ-7 Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 30V 8.6A...
¥3.87
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DMP3008SFGQ-13 Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 30V 8.6A...
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DMP3008SFGQ-13 Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 30V 8.6A...
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DMP3008SFGQ-13 Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 30V 8.6A...
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SI7143DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 35A...
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SI7143DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 35A...
¥11.31
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SI7143DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 35A...
¥4.65
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