功率耗散(最大值):
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):
图片 型号 品牌 描述 PDF 价格 起订量 库存 操作
SIS413DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 18A...
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1 1,497 提交询价
SQS423EN-T1_GE3 Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 16A...
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1 2,826 提交询价
SI7625DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 35A...
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1 55,152 提交询价
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