晶体管 - FET，MOSFET - 单

系列：

包装：

工作温度：

技术：

安装类型：

封装/外壳：

供应商器件封装：

功率耗散（最大值）：

FET 类型：

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）：

Vgs（最大值）：

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：

已选条件：

5,050 条记录

型号	品牌	描述	价格	起订量	库存	操作
DMN3067LW-13	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 30V 2.6A...	¥0.57	10,000	580	加入购物车提交询价
DMN3070SSN-7	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 30V 4.2A...	-	1	2,637	提交询价
DMN3070SSN-7	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 30V 4.2A...	¥2.92	1	2,637	加入购物车提交询价
DMN3070SSN-7	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 30V 4.2A...	¥0.81	3,000	580	加入购物车提交询价
DMN3900UFA-7B	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 30V 0.55...	-	1	4,596	提交询价
DMN3900UFA-7B	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 30V 0.55...	¥2.92	1	4,596	加入购物车提交询价
DMN3900UFA-7B	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 30V 0.55...	¥0.71	10,000	580	加入购物车提交询价
DMP32D5LFA-7B	Diodes Incorporated	MOSFET P-CH 30V 0.3A...	¥0.36	10,000	580	加入购物车提交询价
NVTFS4823NWFTAG	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 30V 30A...	¥2.86	1,500	1,500	加入购物车提交询价
PMN40ENEX	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 30V 5.7A...	-	1	2,816	提交询价
PMN40ENEX	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 30V 5.7A...	¥2.84	1	2,816	加入购物车提交询价
PMN40ENEX	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 30V 5.7A...	¥0.78	3,000	580	加入购物车提交询价
RS1E280GNTB	-	MOSFET N-CH 30V 28A...	¥2.78	2,500	2,500	加入购物车提交询价
RHU003N03FRAT106	Rohm Semiconductor	4V DRIVE NCH MOSF...	-	1	1,849	提交询价
RHU003N03FRAT106	Rohm Semiconductor	4V DRIVE NCH MOSF...	¥2.76	1	1,849	加入购物车提交询价
RHU003N03FRAT106	Rohm Semiconductor	4V DRIVE NCH MOSF...	¥0.47	3,000	580	加入购物车提交询价
2SK3019-TP	Micro Commercial Co	N-CHANNEL MOSFET...	-	1	2,021	提交询价
2SK3019-TP	Micro Commercial Co	N-CHANNEL MOSFET...	¥2.76	1	2,021	加入购物车提交询价
2SK3019-TP	Micro Commercial Co	N-CHANNEL MOSFET...	¥0.45	3,000	580	加入购物车提交询价
DMN33D8LT-13	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 30V 0.11...	-	1	5,653	提交询价

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