零件状态:
供应商器件封装:
功率耗散(最大值):
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):
图片 型号 品牌 描述 PDF 价格 起订量 库存 操作
BSP100,135 Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 3.2A...
-
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SI2304DS,215 Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 1.7A...
-
1 580 提交询价
BSP030,115 Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 10A...
-
1 580 提交询价
BSH108,215 Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 1.9A...
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