- 供应商器件封装:
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- 功率耗散(最大值):
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- 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):
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- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
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- 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):
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- 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):
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- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):
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16 条记录
图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 价格 | 起订量 | 库存 | 操作 | |
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 1.5A... |
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1 | 580 | 提交询价 | |||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 3.7A... |
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1 | 580 | 提交询价 | |||
Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 3.6A... |
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1 | 25,791 | 提交询价 | |||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 1.4A... |
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1 | 3,991 | 提交询价 | |||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 2.7A... |
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1 | 11,824 | 提交询价 | |||
Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 2.3A... |
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1 | 19,583 | 提交询价 | |||
Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 1.5A... |
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1 | 9,626 | 提交询价 | |||
Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 1.5A... |
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1 | 11,164 | 提交询价 | |||
Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 3A ... |
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1 | 32,017 | 提交询价 | |||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 5A ... |
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1 | 323,063 | 提交询价 | |||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 5.3A... |
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1 | 45,967 | 提交询价 | |||
Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 2A ... |
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1 | 88,998 | 提交询价 | |||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 1.2A... |
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1 | 89,296 | 提交询价 | |||
Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 760M... |
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1 | 25,340 | 提交询价 | |||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 2.3A... |
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1 | 29,839 | 提交询价 | |||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 3.4A... |
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1 | 85,793 | 提交询价 |