- 品牌：
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- 功率耗散（最大值）：
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- 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：
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- 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：
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- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：
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- 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：
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14 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 价格 | 起订量 | 库存 | 操作 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 0.55... |
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10,000 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 30V 0.3A... |
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10,000 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V SG... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 25V-... |
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10,000 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 30V 0.3A... |
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10,000 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Nexperia USA Inc. | MOSFET P-CH 30V 300M... |
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10,000 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 0.9A... |
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10,000 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 530M... |
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10,000 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 30V 540M... |
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10,000 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Texas Instruments | MOSFET N-CH 30V 1.5A... |
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250 | 19,750 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Texas Instruments | MOSFET N-CH 30V 3.1A... |
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3,000 | 33,000 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Texas Instruments | MOSFET N-CH 30V 3.1A... |
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250 | 16,750 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 750M... |
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3,000 | 63,000 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Texas Instruments | MOSFET N-CH 30V 1.5A... |
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3,000 | 222,000 | 加入购物车 提交询价 |
