- 品牌：
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- Diodes Incorporated (16)
- Infineon Technologies (245)
- Nexperia USA Inc. (92)
- NXP USA Inc. (20)
- ON Semiconductor (149)
- STMicroelectronics (45)
- Vishay Siliconix (59)
- 系列：
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- 安装类型：
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- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 功率耗散（最大值）：
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- FET 类型：
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- 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：
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- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：
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- 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：
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- Vgs（最大值）：
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- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：
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- FET 功能：
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 价格 | 起订量 | 库存 | 操作 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 30A... |
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1,500 | 1,500 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 65A... |
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1 | 10,000 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 50A... |
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1 | 10,000 | 加入购物车 提交询价 | ||
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NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 120A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 120A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 110A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 76A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 9.4A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 50A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Nexperia USA Inc. | PMPB50ENEA/SOT1220/... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Nexperia USA Inc. | PMPB25ENEA/SOT1220/... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 30A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 8A ... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 70A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 70A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 55A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 105A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 75A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 75A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 13.1... |
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1 | 580 | 提交询价 |
