- 品牌:
-
- Infineon Technologies (176)
- Nexperia USA Inc. (72)
- NXP USA Inc. (15)
- ON Semiconductor (135)
- STMicroelectronics (28)
- Vishay Siliconix (54)
- 系列:
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- 安装类型:
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- 封装/外壳:
-
- 供应商器件封装:
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- 功率耗散(最大值):
-
- FET 类型:
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- 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):
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- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
-
- 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):
-
- 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):
-
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):
-
- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):
-
- FET 功能:
-
523 条记录
图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 价格 | 起订量 | 库存 | 操作 | |
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 30A... |
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1,500 | 1,500 | 加入购物车 提交询价 | |||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 65A... |
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1 | 10,000 | 加入购物车 提交询价 | |||
NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 120A... |
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1 | 580 | 提交询价 | |||
Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 110A... |
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1 | 580 | 提交询价 | |||
ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 76A... |
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1 | 580 | 提交询价 | |||
ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 9.4A... |
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1 | 580 | 提交询价 | |||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 50A... |
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1 | 580 | 提交询价 | |||
Nexperia USA Inc. | PMPB50ENEA/SOT1220/... |
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1 | 580 | 提交询价 | |||
Nexperia USA Inc. | PMPB25ENEA/SOT1220/... |
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1 | 580 | 提交询价 | |||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 30A... |
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1 | 580 | 提交询价 | |||
Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 8A ... |
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1 | 580 | 提交询价 | |||
Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 70A... |
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1 | 580 | 提交询价 | |||
Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 70A... |
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1 | 580 | 提交询价 | |||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 105A... |
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1 | 580 | 提交询价 | |||
NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 75A... |
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1 | 580 | 提交询价 | |||
NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 75A... |
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1 | 580 | 提交询价 | |||
NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 13.1... |
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1 | 580 | 提交询价 | |||
Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH TO252 |
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1 | 580 | 提交询价 | |||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 59A... |
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1 | 580 | 提交询价 | |||
Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH TO252 |
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1 | 580 | 提交询价 |