系列:
零件状态:
供应商器件封装:
功率耗散(最大值):
漏源电压(Vdss):
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):
图片 型号 品牌 描述 PDF 价格 起订量 库存 操作
SSM3K301T(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 20V 3.5A...
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SSM3K329R,LF Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N CH 30V 3.5A...
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SSM3K329R,LF Toshiba Semiconductor and Storage
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