供应商器件封装:
功率耗散(最大值):
漏源电压(Vdss):
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):
图片 型号 品牌 描述 PDF 价格 起订量 库存 操作
BSS670S2LL6327HTSA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 540M...
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FDT461N ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 0.5...
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BSS670S2L Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 540M...
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BSS670S2L Infineon Technologies
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