功率耗散(最大值):
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):
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SQJ418EP-T1_GE3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 48A...
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MOSFET N-CH 100V 48A...
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SI7178DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 60A...
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SI7178DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 60A...
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MOSFET N-CH 100V 60A...
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