- 零件状态：
-
- 封装/外壳：
-
- 供应商器件封装：
-
- 功率耗散（最大值）：
-
- 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：
-
- 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：
-
- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：
-
- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：
-
19 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 价格 | 起订量 | 库存 | 操作 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 500V 10A... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 550V 10A... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 4.5... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 550V 10A... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 4.5... |
-
|
1 | 11 | 提交询价 | ||
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 4.5... |
|
1 | 11 | 加入购物车 提交询价 | ||
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 4.5... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 4.5... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 4.5... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 4.5... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 4.5... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 4.5... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 4.5... |
|
1 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 4.5... |
|
1 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 500V 10A... |
|
1 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 550V 10A... |
|
1 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 4.5... |
-
|
1 | 7,467 | 提交询价 | ||
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 4.5... |
|
1 | 7,467 | 加入购物车 提交询价 | ||
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 4.5... |
|
1 | 5,000 | 加入购物车 提交询价 |
