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晶体管 - FET，MOSFET - 单
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-
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FET 类型：
N 沟道
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P 沟道
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电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：
-
(1)
250A
(1)
36A（Tc）
(1)
90A（Tc）
(1)
已选条件：
晶体管 - FET，MOSFET - 单
IXYS
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） : -
系列 : -
漏源电压（Vdss） : 100V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） : -
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IXFR75N10Q
IXYS
MOSFET N-CH 100V IS...
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IXTC180N10T
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MOSFET N-CH 100V 90A...
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IXTE250N10
IXYS
MOSFET N-CH 100V 250...
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MOSFET P-CH 100V 36A...
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MOSFET P-CH 100V 36A TO-268
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