功率耗散(最大值):
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):
图片 型号 品牌 描述 PDF 价格 起订量 库存 操作
SI5855CDC-T1-E3 Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 3.7A...
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SI3447CDV-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 12V 7.8A...
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SI1422DH-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 12V 4A ...
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SI1300BDL-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 400M...
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IRL1004STRLPBF Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 130A...
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IRF7828TRPBF Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 13.6...
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IRF7807ATRPBF Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 8.3A...
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SI7102DN-T1-E3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 12V 35A...
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IRF5800TRPBF Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 4A ...
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FDMA7628 ON Semiconductor
MOSFET N-CH 20V 6QF...
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SIB410DK-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 9A ...
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PMV65UN,215 NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 20V 2A ...
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PMV170UN,215 NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 20V 1A ...
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PMPB20UN,115 NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 20V 6.6A...
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PMG45UN,115 NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 20V 3A ...
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PMFPB8040XP,115 Nexperia USA Inc.
MOSFET P-CH 20V 2.7A...
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PMF63UN,115 NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 20V 1.8A...
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PMPB12UN,115 NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 20V 7.9A...
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PMN25UN,115 NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 20V 6A ...
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SI4866BDY-T1-E3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 12V 21.5...
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