供应商器件封装:
功率耗散(最大值):
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):
图片 型号 品牌 描述 PDF 价格 起订量 库存 操作
NTNS3164NZT5G ON Semiconductor
MOSFET N-CH 20V 0.36...
¥3.00
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DMP21D2UFA-7B Diodes Incorporated
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SI5855CDC-T1-E3 Vishay Siliconix
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FDMA7628 ON Semiconductor
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PMV65UN,215 NXP USA Inc.
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PMV170UN,215 NXP USA Inc.
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PMPB20UN,115 NXP USA Inc.
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PMG45UN,115 NXP USA Inc.
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PMFPB8040XP,115 Nexperia USA Inc.
MOSFET P-CH 20V 2.7A...
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PMF63UN,115 NXP USA Inc.
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PMPB12UN,115 NXP USA Inc.
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PMN25UN,115 NXP USA Inc.
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SI5415EDU-T1-GE3 Vishay Siliconix
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AOC2403 Alpha & Omega Semiconductor Inc.
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