晶体管 - FET，MOSFET - 单

封装/外壳：

供应商器件封装：

功率耗散（最大值）：

漏源电压（Vdss）：

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）：

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：

已选条件：

2 条记录

图片	型号	品牌	描述	PDF	价格	起订量	库存	操作
	PSMN8R7-80BS,118	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 80V 90A...		-	1	4,186	提交询价
	PSMN5R8-40YS,115	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 40V LF...		-	1	41,990	提交询价

1 / 1 页共 2 条