封装/外壳:
功率耗散(最大值):
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):
图片 型号 品牌 描述 PDF 价格 起订量 库存 操作
CSD18512Q5B Texas Instruments
40V N CH MOSFET
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40V N CH MOSFET
¥13.92
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40V N CH MOSFET
¥6.18
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