功率耗散(最大值):
FET 类型:
漏源电压(Vdss):
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):
图片 型号 品牌 描述 PDF 价格 起订量 库存 操作
TN5335K1-G Microchip Technology
MOSFET N-CH 350V 0.1...
-
1 2,494 提交询价
TN5335K1-G Microchip Technology
MOSFET N-CH 350V 0.1...
¥6.01
1 2,494 加入购物车 提交询价
TN5335K1-G Microchip Technology
MOSFET N-CH 350V 0.1...
¥4.56
3,000 580 加入购物车 提交询价
TN5335N8-G Microchip Technology
MOSFET N-CH 350V 0.2...
-
1 2,930 提交询价
TN5335N8-G Microchip Technology
MOSFET N-CH 350V 0.2...
¥6.96
1 2,930 加入购物车 提交询价
TN5335N8-G Microchip Technology
MOSFET N-CH 350V 0.2...
¥5.21
2,000 2,000 加入购物车 提交询价
BSP225,115 Nexperia USA Inc.
MOSFET P-CH 250V 0.2...
-
1 4,981 提交询价
BSP225,115 Nexperia USA Inc.
MOSFET P-CH 250V 0.2...
¥5.37
1 4,981 加入购物车 提交询价
BSP225,115 Nexperia USA Inc.
MOSFET P-CH 250V 0.2...
¥2.24
1 4,000 加入购物车 提交询价
1 / 1 页 共 9 条