供应商器件封装:
功率耗散(最大值):
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):
图片 型号 品牌 描述 PDF 价格 起订量 库存 操作
BUZ73LHXKSA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 7A...
-
1 580 提交询价
BUZ73ALHXKSA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 5.5...
-
1 580 提交询价
BUZ31L H Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 13....
-
1 580 提交询价
BUZ73L Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 7A...
-
1 580 提交询价
BUZ73AL Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 5.5...
-
1 580 提交询价
BUZ31L E3044A Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 13....
-
1 580 提交询价
BUZ31L Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 13....
-
1 580 提交询价
1 / 1 页 共 7 条