- 品牌：
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- ON Semiconductor (1)
- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 功率耗散（最大值）：
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- 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：
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- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：
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- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 价格 | 起订量 | 库存 | 操作 | |
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Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 55V 38A... |
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 0.11... |
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Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 50V 180M... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 60V .2A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 14A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 45V 20A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 21A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 60V LF... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 2A ... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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IXYS Integrated Circuits Division | MOSFET N-CH 350V 0.0... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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IXYS Integrated Circuits Division | MOSFET N-CH 350V 0.0... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 30V 0.1A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 30V 0.1A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 2A ... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Panasonic Electronic Components | MOSFET N-CH 40V 7A ... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 55V 75A... |
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Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 100V 37A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 30V 100M... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET P-CH 30V 0.1A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Panasonic Electronic Components | MOSFET N-CH 30V 18A... |
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1 | 580 | 提交询价 |
