供应商器件封装:
功率耗散(最大值):
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):
图片 型号 品牌 描述 PDF 价格 起订量 库存 操作
SQ3418AEEV-T1_GE3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CHANNEL...
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SI2366DS-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 5.8A...
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SI2366DS-T1-GE3 Vishay Siliconix
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MOSFET N-CH 30V 7.8A...
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