供应商器件封装:
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):
Vgs(最大值):
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):
图片 型号 品牌 描述 PDF 价格 起订量 库存 操作
SI2366DS-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 5.8A...
-
1 883 提交询价
SI2366DS-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 5.8A...
¥3.71
1 883 加入购物车 提交询价
SI2366DS-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 5.8A...
¥1.28
3,000 580 加入购物车 提交询价
SI2300DS-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 3.6A...
-
1 81,053 提交询价
SI2300DS-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 3.6A...
¥3.40
1 81,053 加入购物车 提交询价
SI2300DS-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 3.6A...
¥1.15
3,000 75,000 加入购物车 提交询价
1 / 1 页 共 6 条