零件状态:
供应商器件封装:
漏源电压(Vdss):
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):
Vgs(最大值):
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):
图片 型号 品牌 描述 PDF 价格 起订量 库存 操作
PMT200EN,135 NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 1.8...
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1 580 提交询价
FDT55AN06LA0 ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 12.1...
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1 580 提交询价
STN1HNK60 STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 400...
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1 1,601 提交询价
DMN10H120SE-13 Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 100V 3.6...
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1 4,742 提交询价
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