- 品牌：
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- Diodes Incorporated (10)
- IXYS (3)
- Nexperia USA Inc. (12)
- NXP USA Inc. (1)
- ON Semiconductor (37)
- STMicroelectronics (16)
- Vishay Siliconix (60)
- 系列：
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- 零件状态：
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- 工作温度：
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- 安装类型：
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- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 功率耗散（最大值）：
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- FET 类型：
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- 漏源电压（Vdss）：
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- 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：
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- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：
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- Vgs（最大值）：
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- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：
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- FET 功能：
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233 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 价格 | 起订量 | 库存 | 操作 | |
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NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 100A... |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 11.... |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 11.... |
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Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 60V 23A... |
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Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 30V 11.5... |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 34V 19A... |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 34V 19A... |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 34V 19A... |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 45A... |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 45A... |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 45A... |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 21A... |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 21A... |
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Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 30V PO... |
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Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 30V PO... |
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Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 30V PO... |
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Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 18.... |
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 79A... |
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Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 12V 35A... |
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Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 12V 35A... |
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