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晶体管 - FET，MOSFET - 单
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停產
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(1)
功率耗散（最大值）：
250W（Tc）
(1)
300W（Tc）
(2)
400W（Tc）
(1)
漏源电压（Vdss）：
600V
(2)
800V
(2)
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：
13A（Tc）
(1)
15A（Tc）
(1)
20A（Tc）
(1)
23A（Tc）
(1)
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：
320 毫欧 @ 500mA，10V
(1)
350 毫欧 @ 10A，10V
(1)
600 毫欧 @ 7.5A，10V
(1)
700 毫欧 @ 6.5A，10V
(1)
Vgs（最大值）：
±20V
(2)
±30V
(2)
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：
3250pF @ 25V
(1)
3300pF @ 25V
(2)
4300pF @ 25V
(1)
已选条件：
晶体管 - FET，MOSFET - 单
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） : 90nC @ 10V
工作温度 : -55°C ~ 150°C（TJ）
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） : 4.5V @ 4mA
供应商器件封装 : TO-247AD（IXFH）
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IXFH23N60Q
IXYS
MOSFET N-CH 600V 23A...
-
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IXFH20N60Q
IXYS
MOSFET N-CH 600V 20A...
-
1
580
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IXFH13N80Q
IXYS
MOSFET N-CH 800V 13A...
-
1
580
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IXFH15N80Q
IXYS
MOSFET N-CH 800V 15A...
¥115.40
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 23A TO-247
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IXYS
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