- 品牌：
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- ON Semiconductor (13)
- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 功率耗散（最大值）：
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- 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：
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- 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：
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- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：
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- 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 价格 | 起订量 | 库存 | 操作 | |
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Renesas Electronics America | MOSFET N-CH WPAK |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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ON Semiconductor | MOSFET P-CH 200V 7.3... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 250V 12.... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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ON Semiconductor | MOSFET P-CH 200V 12.... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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ON Semiconductor | MOSFET P-CH 200V 8.6... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 250V 16A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 250V 9.5... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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ON Semiconductor | MOSFET P-CH 200V 7.3... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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ON Semiconductor | MOSFET P-CH 200V 7.3... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 150V 23A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 150V 23A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 150V 23A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 500V 11A... |
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50 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 600V 9A... |
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50 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 200V 20A... |
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3,000 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 150V WP... |
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3,000 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 550V 10A... |
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50 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 450V 12A... |
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50 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 650V 7A... |
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50 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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ON Semiconductor | MOSFET P-CH 200V 11.... |
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1 | 406 | 加入购物车 提交询价 |
