- 品牌：
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- 供应商器件封装：
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- 功率耗散（最大值）：
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- 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：
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- 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：
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- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：
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- 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：
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- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 价格 | 起订量 | 库存 | 操作 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 950V 4A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 950V 12A... |
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1,000 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 950V 2.5... |
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1 | 64 | 加入购物车 提交询价 | ||
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 950V 7.2... |
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1 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 950V 9A... |
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1 | 981 | 加入购物车 提交询价 | ||
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 950V 8A... |
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1 | 1,139 | 加入购物车 提交询价 | ||
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 950V 10A... |
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1 | 196 | 加入购物车 提交询价 | ||
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 950V 17.... |
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1 | 1,982 | 加入购物车 提交询价 |
