系列:
供应商器件封装:
功率耗散(最大值):
FET 类型:
漏源电压(Vdss):
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):
Vgs(最大值):
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):
图片 型号 品牌 描述 PDF 价格 起订量 库存 操作
SSM5G10TU(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 20V 1.5A...
-
1 2,666 提交询价
SSM5H12TU(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 1.9A...
-
1 580 提交询价
TT8U2TR Rohm Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 2.4A...
-
1 952 提交询价
TT8U1TR Rohm Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 2.4A...
-
1 5,287 提交询价
ES6U1T2R Rohm Semiconductor
MOSFET P-CH 12V 1.3A...
-
1 12,000 提交询价
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