- 品牌：
-
- Diodes Incorporated (87)
- Infineon Technologies (376)
- IXYS (1)
- Micro Commercial Co (10)
- Nexperia USA Inc. (55)
- NXP USA Inc. (3)
- ON Semiconductor (371)
- Rohm Semiconductor (74)
- Sanken (14)
- STMicroelectronics (241)
- Vishay Siliconix (139)
- 系列：
-
- 工作温度：
-
- 供应商器件封装：
-
- 功率耗散（最大值）：
-
- FET 类型：
-
- 漏源电压（Vdss）：
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- 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：
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- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：
-
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：
-
- Vgs（最大值）：
-
- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：
-
1,567 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 价格 | 起订量 | 库存 | 操作 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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- | MOSFET N-CH 45V 20A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 65A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 55V 44A... |
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1 | 3,958 | 提交询价 | ||
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ON Semiconductor | MOSFET P-CH 60V 12A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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|
ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 12A... |
-
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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|
- | MOSFET N-CH 200V 3A... |
-
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 40V 42A... |
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1 | 6,418 | 提交询价 | ||
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Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 55V 38A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 11A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 50A... |
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1 | 11,988 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V TO... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V TO... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V TO... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V TO... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V TO... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V TO... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 600V 4.2... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 500V 4.5... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 250V 16A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 500V 8A... |
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1 | 580 | 提交询价 |
