功率耗散(最大值):
漏源电压(Vdss):
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):
Vgs(最大值):
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):
图片 型号 品牌 描述 PDF 价格 起订量 库存 操作
SUD50P10-43L-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 37....
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SUD50P08-25L-E3 Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 80V 50A...
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IPD90P03P4L04ATMA1 Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 90A...
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SUD50P10-43L-E3 Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 37....
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