- 零件状态：
-
- 功率耗散（最大值）：
-
- 漏源电压（Vdss）：
-
- 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：
-
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
-
- 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：
-
- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：
-
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：
-
- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：
-
68 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 价格 | 起订量 | 库存 | 操作 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 9A... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 11A... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 150V 100... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 80A... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 20A... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 560V 16A... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 560V 11.... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 11A... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 10.... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 7.3... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 4.5... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 3.2... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 50A... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 80A... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 80A... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 45A... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 45A... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 78A... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 100A... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 100A... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 |
