零件状态:
供应商器件封装:
功率耗散(最大值):
FET 类型:
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):
图片 型号 品牌 描述 PDF 价格 起订量 库存 操作
DMN2009LSS-13 Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 20V 12A...
¥2.06
1 580 加入购物车 提交询价
BSO201SPHXUMA1 Infineon Technologies
MOSFET P-CH 20V 12A...
¥5.59
2,500 2,500 加入购物车 提交询价
1 / 1 页 共 2 条