- 品牌：
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- ON Semiconductor (21)
- STMicroelectronics (13)
- Vishay Siliconix (24)
- 系列：
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- 零件状态：
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- 工作温度：
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- 安装类型：
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- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 功率耗散（最大值）：
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- 漏源电压（Vdss）：
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- 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：
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- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：
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- Vgs（最大值）：
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- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：
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- FET 功能：
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 价格 | 起订量 | 库存 | 操作 | |
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Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 250V 16A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 800V 3A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Nexperia USA Inc. | PMPB25ENEA/SOT1220/... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 30A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 11A |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V TO... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 3T... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 9.3... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 250V 16A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 800V 3A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 800V 3A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 35V 9A ... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 600V 5A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 200V 20A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 30V 12A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 60V 8.4A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 45A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 60V 8.4A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 30V 3.7A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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ON Semiconductor | MOSFET P-CH 60V 7.8A... |
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1 | 580 | 提交询价 |
