零件状态:
供应商器件封装:
功率耗散(最大值):
FET 类型:
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):
Vgs(最大值):
图片 型号 品牌 描述 PDF 价格 起订量 库存 操作
SI8809EDB-T2-E1 Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 1.9A...
-
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SI1012X-T1-E3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 500M...
-
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SI1012R-T1-E3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 500M...
-
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SI1012X-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 500M...
¥1.09
3,000 48,000 加入购物车 提交询价
SI1012R-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 500M...
¥1.09
3,000 180,000 加入购物车 提交询价
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