零件状态:
供应商器件封装:
功率耗散(最大值):
FET 类型:
漏源电压(Vdss):
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):
图片 型号 品牌 描述 PDF 价格 起订量 库存 操作
SI6404DQ-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 8.6A...
-
1 580 提交询价
SI6404DQ-T1-E3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 8.6A...
-
1 580 提交询价
NTHS5443T1 ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 3.6A...
-
1 580 提交询价
NTHS5404T1G ON Semiconductor
MOSFET N-CH 20V 5.2A...
¥1.89
3,000 580 加入购物车 提交询价
NTHS5443T1G ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 3.6A...
¥1.64
3,000 580 加入购物车 提交询价
1 / 1 页 共 5 条