功率耗散(最大值):
FET 类型:
漏源电压(Vdss):
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):
Vgs(最大值):
图片 型号 品牌 描述 PDF 价格 起订量 库存 操作
SI8805EDB-T2-E1 Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 8V MIC...
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SI4346DY-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 5.9A...
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SI5447DC-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 3.5A...
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