- 品牌:
-
- NXP USA Inc. (4)
- Vishay Siliconix (9)
- 系列:
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- 功率耗散(最大值):
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- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
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- 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):
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- 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):
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- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):
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- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):
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- FET 功能:
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图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 价格 | 起订量 | 库存 | 操作 | |
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NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 30V SO... |
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NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 30V SO... |
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NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 100V SO... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 11A... |
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Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 13A... |
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Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 13A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 30V 5A ... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 80V 6A ... |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 8-S... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 8-S... |
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Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 100V SO... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 30V 8-S... |
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2,500 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 30V SO... |
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Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 11.8... |
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Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 11A... |
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2,500 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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STMicroelectronics | MOSFET P-CH 40V 7A ... |
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2,500 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Diodes Incorporated | MOSFET PCH 60V 8SO |
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2,500 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 60V 8SO... |
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2,500 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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STMicroelectronics | MOSFET P-CH 60V 3A ... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 8V 8SO... |
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2,500 | 2,500 | 加入购物车 提交询价 |