晶体管 - FET，MOSFET - 单

封装/外壳：

供应商器件封装：

功率耗散（最大值）：

漏源电压（Vdss）：

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）：

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：

已选条件：

5 条记录

型号	品牌	描述	价格	起订量	库存	操作
TK3R1A04PL,S4X	Toshiba Semiconductor and Storage	X35 PB-F POWER MOS...	¥10.12	1	50	加入购物车提交询价
TK4R3A06PL,S4X	Toshiba Semiconductor and Storage	X35 PB-F POWER MOS...	¥15.66	1	530	加入购物车提交询价
TK3R1E04PL,S1X	Toshiba Semiconductor and Storage	X35 PB-F POWER MOS...	¥13.76	1	573	加入购物车提交询价
TK8R2A06PL,S4X	Toshiba Semiconductor and Storage	X35 PB-F POWER MOS...	¥12.57	1	430	加入购物车提交询价
TK4R3E06PL,S1X	Toshiba Semiconductor and Storage	X35 PB-F POWER MOS...	¥15.66	1	1,558	加入购物车提交询价

1 / 1 页共 5 条