- 工作温度:
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- 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):
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- 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):
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- 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):
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- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):
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- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):
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13 条记录
图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 价格 | 起订量 | 库存 | 操作 | |
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Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 600V 20A... |
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Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 600V 9A... |
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Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 600V 30.... |
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Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 600V 7.5... |
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Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 600V 11A... |
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Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 600V 12A... |
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Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 600V 10A... |
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Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 600V TO... |
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Toshiba Semiconductor and Storage | PB-F POWER MOSFET... |
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Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 600V 25A... |
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Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 600V 20A... |
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Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 600V 20A... |
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Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 600V 25A... |
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