供应商器件封装:
FET 类型:
漏源电压(Vdss):
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):
Vgs(最大值):
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):
图片 型号 品牌 描述 PDF 价格 起订量 库存 操作
2SK2009TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 0.2A...
-
1 787 提交询价
2SJ305TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 30V 0.2A...
-
1 1,141 提交询价
2SK1828TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 20V 50M...
-
1 24,015 提交询价
1 / 1 页 共 3 条