供应商器件封装:
功率耗散(最大值):
FET 类型:
漏源电压(Vdss):
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):
图片 型号 品牌 描述 PDF 价格 起订量 库存 操作
BSH202,215 Nexperia USA Inc.
MOSFET P-CH 30V 520M...
-
1 13,841 提交询价
BSS314PEH6327XTSA1 Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 1.5A...
-
1 11,164 提交询价
ZXMN10A07FTA Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 100V 700...
-
1 96,800 提交询价
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