- 品牌：
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- Diodes Incorporated (28)
- Infineon Technologies (350)
- IXYS (194)
- Nexperia USA Inc. (71)
- NXP USA Inc. (1)
- ON Semiconductor (229)
- Sanken (13)
- STMicroelectronics (258)
- Texas Instruments (21)
- Transphorm (4)
- Vishay Siliconix (201)
- 系列：
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- 工作温度：
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- 供应商器件封装：
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- 功率耗散（最大值）：
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- FET 类型：
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- 漏源电压（Vdss）：
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- 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：
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- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：
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- 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：
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- Vgs（最大值）：
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- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：
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1,522 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 价格 | 起订量 | 库存 | 操作 | |
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NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 40V TO... |
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Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 600V 15.... |
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Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 650V 17.... |
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Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 40V 100A |
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 80V 110A... |
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Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 100V 70A... |
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Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 75V 70A... |
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Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 60V 80A... |
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Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 55V 90A... |
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Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 55V 60A... |
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Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 80V 80A... |
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Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 75V 50A... |
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Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 60V 50A... |
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Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 60V 50A... |
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Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N CH 120V 88A... |
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 40V 80A... |
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Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 600V 12A... |
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IXYS | MOSFET N-CH 200V 86A... |
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IXYS | MOSFET N-CH 250V 76A... |
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IXYS | MOSFET N-CH 300V 54A... |
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